English version Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki CN-D Politechniki Śląskiej, CNT ul. Konarskiego 22B, 44-100 Gliwice
telefon: 32 237 2932, faks: 32 237 1778, e-mail: zfs@polsl.pl

Dr hab. inż.

Bogusława Adamowicz

Profesor

Instytut Fizyki, pokój 116

telefon: 32 237 2407

e-mail: Boguslawa.Adamowicz@polsl.pl


Zainteresowania naukowe

Publikacje

  1. B. Adamowicz, W. Izydorczyk, J. Izydorczyk, A. Klimasek, W. Jakubik, J. Żywicki: Response to oxygen and chemical properties of SnO2 thin-film gas sensors, Vacuum 82 (2008) 966-970.
  2. K. Wierzbowska, L. Bideux, B. Adamowicz, A. Pauly: A novel III-V semiconductor material for NO2 detection and monitoring, Sensors and Actuators A 142 (2008) 237-241.
  3. P. Tomkiewicz, B. Adamowicz, M. Miczek, H. Hasegawa, J. Szuber: Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(100) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency, Applied Surface Science 254 (2008) 8046-8049.
  4. M. Miczek, C. Mizue, T. Hashizume, B. Adamowicz: Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AlGaN/GaN heterostructure capacitors, Journal of Applied Physics 103 (2008) 104510.
  5. B. Adamowicz, P. Bobek, M. Miczek, H. Hasegawa: Numerical analysis of photon-induced phenomena at III-nitride semiconductor surfaces, 9th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (EXMATEC), Łódź, 2008.
  6. M. Miczek, P. Bobek, B. Adamowicz, T. Hashizume: Symulacje komputerowe detektora ultrafioletu na bazie struktury metal/izolator/GaN, II Krajowa Konferencja Nanotechnologii, Kraków, 2008.
  7. B. Adamowicz, M. Miczek, D. Pundyk, M. Kępińska, J. Mazur, P. Bobek-Bidziński, A. Klimasek, T. Hashizume: Własności optyczne, chemiczne,elektronowe i morfologiczne struktur AlGaN/GaN, III Krajowa Konferencja Nanotechnologii, Warszawa, 2009.
  8. P. Tomkiewicz, S. Arabasz, B. Adamowicz, M. Miczek, J. Mizsei, D.R.T. Zahn, H. Hasegawa, J. Szuber: Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation, Surface Science 603 (2009) 498-502.
  9. M. Miczek, B. Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume: Simulations of Capacitance-Voltage-Temperature Behavior of Metal/Insulator/AlGaN and Metal/Insulator/AlGaN/GaN Structures, Japanese Journal of Applied Physics 48 (2009) 04C092.
  10. M. Akazawa, A. Domanowska, B. Adamowicz, H. Hasegawa: Capacitance-voltage and photoluminescence study of high-k/GaAs interfaces controlled by Si interface control layer, Journal of Vacuum Science and Technology B 27 (2009) 2028-2035.
  11. H. Hasegawa, M. Akazawa, A. Domanowska, B. Adamowicz, Surface passivation of III–V semiconductors for future CMOS devices—Past research, present status and key issues for future, Applied Surface Science 256 (2010) 5698–5707.
  12. A. Domanowska, B. Adamowicz, P. Bidziński, A. Klimasek, J. Szewczenko, T. Gutt, H. Przewłocki, Analysis of chemical shifts in Auger electron spectra versus sputtering time from passivated surfaces, Optica Applicata XLI(2) (2011) 441–447.
  13. A. Domanowska, M. Miczek, R. Ucka, M. Matys, B. Adamowicz, J. Żywicki, … M. Sochacki, Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures, Applied Surface Science 258(21) (2012) 8354–8359.
  14. M. Matys, P. Powroźnik, D. Kupka, B. Adamowicz: Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry, Optica Applicata 43 (2013) 47-52.
  15. M. Matys, B. Adamowicz, A. Domanowska, A. Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, On the origin of interface states at oxide / III-nitride heterojunction interfaces, Journal of Applied Physics 120 (2016) 225305.
© 2008-2019 ZFS, projekt i kodowanie: AKB (na podstawie poprzedniego projektu B. Buraka i M. Szydłowskiego)
zdjęcia: M. Szydłowski, A. Domanowska, M. Szum, M. Andrzejczuk