English version Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki CN-D Politechniki Śląskiej, CNT ul. Konarskiego 22B, 44-100 Gliwice
telefon: 32 237 2932, faks: 32 237 1778, e-mail: zfs@polsl.pl

Dr inż.

Alina Domanowska

Adiunkt

Instytut Fizyki, pokój 113

telefon: 32 237 1452

e-mail: Alina.Domanowska@polsl.pl


Zainteresowania naukowe

Publikacje

  1. M. Akazawa, A. Domanowska, B. Adamowicz, H. Hasegawa: Capacitance-voltage and photoluminescence study of high-k/GaAs interfaces controlled by Si interface control layer, Journal of Vacuum Science and Technology B 27 (2009) 2028-2035.
  2. A. Domanowska, R. J. Bukowski: Theoretical Analysis of Pulsed Photoacoustic Effect in Solids, International Journal of Thermophysics 30 (2009) 1536-1556.
  3. H. Hasegawa, M. Akazawa, A. Domanowska, B. Adamowicz, Surface passivation of III–V semiconductors for future CMOS devices—Past research, present status and key issues for future, Applied Surface Science 256 (2010) 5698–5707.
  4. A. Domanowska, B. Adamowicz, P. Bidziński, A. Klimasek, J. Szewczenko, T. Gutt, H. Przewłocki, Analysis of chemical shifts in Auger electron spectra versus sputtering time from passivated surfaces, Optica Applicata XLI(2) (2011) 441–447.
  5. A. Domanowska, M. Miczek, R. Ucka, M. Matys, B. Adamowicz, J. Żywicki, … M. Sochacki, Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures, Applied Surface Science 258(21) (2012) 8354–8359.
  6. P. Karasiński, C. Tyszkiewicz, A. Domanowska, A. Michalewicz, J. Mazur, Low loss, long time stable sol–gel derived silica–titania waveguide films, Materials Letters 143 (2015) 5–7.
  7. K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Żuk, P. Borowicz, D. Teklińska, P. Konarski, M. Miśnik, A. Domanowska, A. Michalewicz, J. Szmidt, Influence of phosphorus implantation on electrical properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure, Materials Science Forum 821 (2015) 496–499.
  8. M. Matys, B. Adamowicz, A. Domanowska, A. Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, On the origin of interface states at oxide / III-nitride heterojunction interfaces, Journal of Applied Physics 120 (2016) 225305.
  9. I. Klosok-Bazan, J. Boguniewicz-Zablocka, V. Naddeo, A. Domanowska, Tap water as a source of indoor radon in houses, MATEC Web of Conferences 174(01034), (2018) 1–7.
  10. M. Basiaga, W. Walke, W. Kajzer, A. Hyla, A. Domanowska, A. Michalewicz, C. Krawczyk, Analysis of the corrosion protective ability of atomic layer deposition silica-based coatings deposited on 316LVM steel, Materialwissenschaft Und Werkstofftechnik 49(5) (2018) 551–561.
  11. A. Domanowska, Chemical characterization of SiO2:TiO2 waveguide films using Auger electron spectroscopy, In R. S. Romaniuk, A. Smolarz, & W. Wójcik (Eds.), Optical Fibers and Their Applications 2018 (Vol. 1, p. 17).
  12. A. Domanowska, R. Korbutowicz, H. Teterycz, Morphology and element composition of alumina films obtained by mixed thermal oxidation of AlN epitaxial layers, Applied Surface Science (2019) (in print).
© 2008-2019 ZFS, projekt i kodowanie: AKB (na podstawie poprzedniego projektu B. Buraka i M. Szydłowskiego)
zdjęcia: M. Szydłowski, A. Domanowska, M. Szum, M. Andrzejczuk