English version Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki CN-D Politechniki Śląskiej, CNT ul. Konarskiego 22B, 44-100 Gliwice
telefon: 32 237 2932, faks: 32 237 1778, e-mail: zfs@polsl.pl

Prof. Dr hab.

Stanisław Kochowski

Profesor zwyczajny

Prorektor ds. Dydaktyki

Instytut Fizyki, pokój 110

telefon: 32 237 2093

e-mail: Stanislaw.Kochowski@polsl.pl


Zainteresowania naukowe

Publikacje

  1. S. Kończak, S. Kochowski, P. Matyja: Rentgenowskie badania cienkich warstw bizmutu, VI Konferencja Naukowo-Techniczna "Rentgenowska analiza strukturalna w metalurgii i metaloznawstwie", Gliwice, 1972, ss. 144-146.
  2. S. Kończak, S. Kochowski, Z. Ziołowski: Some electrical properties and structural investigations of thin films of bismuth evaporated in a high vacuum, Thin Solid Films 17(1973) 199-205.
  3. S. Kończak, S. Kochowski: Kwantowe efekty rozmiarowe w cienkich warstwach półmetali Postępy Fizyki 25 (1974) 277-288.
  4. S. Kończak, S. Kochowski: O kwantowych efektach rozmiarowych w cienkich warstwach niektórych zwiazków półprzewodnikowych, I Sympozjum "Fizyka Cienkich Warstw", Szczyrk, 1973, PWN, Warszawa, 1975, cz. 1, ss. 368-373.
  5. S. Kochowski: An anomalous dependence of the specyfic resistance on thickness for thin films of Bi in the temperature range 78-293K, Thin Solid Films 28 (1975) L35-37.
  6. S. Kochowski, K. Wittek: Wpływ pola elektrycznego stosowanego przy kondensacji par na własności cienkich warstw Bi, II Sympozjum "Fizyka Cienkich Warstw", Szczyrk, 1975, PWN, Warszawa-Wrocław, 1977, ss. 174-176.
  7. S. Kochowski, A. Opilski: Concentration and mobility of charge carriers in the polycrystalline films of bismuth, Thin Solid Films 48 (1978) 345-351.
  8. S. Kochowski, S. Łoś, K. Wittek: Stanowisko do badania struktur MOS metodą kwazistatycznych charakterystyk C-V, Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, seria Matematyka-Fizyka 35 (1979) 55-62.
  9. S. Kochowski, S. Łoś: O możliwościach dokładnych pomiarow kwazistatycznych i wysokoczęstotliwosciowych charakterystyk C-V struktur MOS, I Konferencja "Technologia Elektronowa", Wrocław-Karpacz, 1980, ss. 494-496.
  10. S. Kochowski, S. Łoś, Z. Łudzik: Wysokoczuły układ do badania kwazistatycznych charakterystyk C-V struktur MOS, I Konferencja Naukowa POMAT 1981, Zaborow k. Warszawy, 1981, ss. 139-141.
  11. B. Długosz, S. Kochowski: Investigations by the surface photo-EMF method of the effect of low temperature vacuum baking of an Si(111) surface, Thin Solid Films 88 (1982) 381-384.
  12. S. Kochowski, M. Nowak: The possibilities of analysis of surface states energy spectrum on the base of field effect measurements, Proc. 29 Intern. Wissenschaftliches Kolloquium TH Ilmenau, Ilmenau, 1984, ss. 57-60.
  13. B. Adamowicz, S. Kochowski: Two types of the temperature dependence of the surface photohotovoltage on the real (111) Si surface, Proc. 29 Intern. Wissenschaftliches Kolloquium TH Ilmenau, Ilmenau, 1984, ss. 41-44.
  14. S. Kochowski, S. Łoś, Z. Łudzik: The possibilities of exact measurements and the fast calibration of C-V quasi-static characteristics of MOS structures, Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, seria Matematyka-Fizyka 43 (1985) 127-137.
  15. S. Kochowski: The influence of surface states energy spectrum on the dependence of surface charge on surface potential, Acta Physica Polonica A 67 (1985) 437-441.
  16. S. Kochowski: Vlijanije parametrov energeticzeskovo spektra poverchnostnych sostojanij na krivyje zachvata zarjada, Proceedings of 7th Czechoslovak Conference on Electronics and Vacuum Physics, Bratislava, 1985, ss. 230-235.
  17. B. Adamowicz, S. Kochowski, S. Kończak: Investigations of temperature dependence of the surface photovoltage of the real p-type Si surface, Proceedings of 7th Czechoslovak Conference on Electronics and Vacuum Physics, Bratislava, 1985, ss. 273-278.
  18. S. Kochowski, M. Nowak: Estimation of surface state parameters using least squares in field effect measurements, Acta Physica Polonica A 69 (1986) 517-524.
  19. S. Kochowski: Analysis of the surface state parameters of the real Si surface on the base field effect measurements, Acta Univ. Wratislaviensis 937 (1986) 169-176.
  20. B. Adamowicz, S. Kochowski, S. Kończak: The influence of the surface states of the real surface Si on the surface photovoltage characteristics, Acta Univ. Wratislaviensis 937 (1986) 153-159.
  21. S. Kochowski: Field effect application for investigation of the crystalline and amorphous semiconductors, Proceedings of Conference on Surface Physics, Łódź, 1986, ss. 210-215.
  22. S. Kochowski, B. Adamowicz: Influence of the surface state parameters on the surface potential of the Si real surface, Proc. 32 Intern. Intern. Wissenschaftliches Kolloquium TH Ilmenau, Ilmenau, 1987, ss. 73-76.
  23. S. Kochowski: Analiz energeticzeskovo spektra poverkhnostnykh sostojanij na granice razdela poluprovodnik-oksid, Poverkhnost'. Fiz. Khim. Mech. 10 (1987) 57-60.
  24. S. Łoś, S. Kochowski: Some electrical properties of the GaAs-anodic oxide interface on the basis of measurements of the capacitance-voltage and conductance-voltage characteristics of metal-oxide-semiconductor structures, Thin Solid Films 165 (1988) 21-28.
  25. B. Adamowicz, S. Kochowski: Investigations of the surface photovoltage effect on the p-type Si real surface, Acta Univ. Wratislaviensis 1025 (1988) 13-19.
  26. B. Adamowicz, S. Kochowski: The contribution of surface effects to the surface photovoltage dependence on temperature for the real Si(111) surface, Surface Science 200 (1988) 172-178.
  27. B. Adamowicz, S. Kochowski: Application of the temperature dependence of the surface photovoltage for investigations of the electron processes at the real Si surface, 19th International Conference on Physics of Semiconductors, Warszawa, 1988, pod redakcją W. Zawadzkiego, Instutut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa, 1988, vol. 1, ss. 737-740.
  28. S. Kochowski: Aktualne poglądy na pochodzenie stanów powierzchniowych granicy fazowej półprzewodnik-dielektryk, Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, seria Matematyka-Fizyka 60 (1989) 103-115.
  29. B. Adamowicz, S. Kochowski: Zastosowanie metody fotonapięcia powierzchniowego do badań półprzewodników, Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, seria Matematyka-Fizyka 60 (1989) 19-30.
  30. S. Kochowski, M. Nowak: Influence of field effect on photoconductivity of silicon, Proceedings of 4th Conference on Surface Physics, Łódź, 1989, ss. 229-232.
  31. S. Kochowski: Description of electrical characteristics of semiconducting compound-insulator interface on the basis of the model of interface states distributed in energy and in space, Acta Physica Polonica A 82 (1992) 761-764.
  32. J. Szuber, B. Szczepaniak, M. Piwowarczyk, S. Kochowski, A. Opilski: Electronic properties of the space charge layer of the copper phthalocyanine thin films, Czech. J. Phys. 49 (1993) 1041-1044.
  33. W. Jakubik, S. Kochowski, A. Opilski, M. Urbańczyk: Badanie własności sensorowych ftalocjaniny miedzi w strukturach warstwowych typu SAW, Akustyka Molekularna i Kwantowa 14 (1993) 123-135.
  34. J. Szuber, B. Szczepaniak, S. Kochowski, A. Opilski: Własności elektronowe obszaru przypowierzchniowego cienkich warstw ftalocyjaniny miedzi (CuPc), V Konferencja Naukowa ELTE 1994, Szczyrk, 1994, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa, 1994, tom 1, ss. 365-368.
  35. S. Kochowski: Symulacja histerezy charakterystyk C-V struktur MIS w oparciu o model z przestrzennym rozkładem stanów powierzchniowych, V Konferencja Naukowa ELTE 1994, Szczyrk, 1994, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa, 1994, tom 2, ss. 576-579.
  36. J. Szuber, B. Szczepaniak, S. Kochowski, A. Opilski, Photoemission yield spectroscopy investigation of the electronic properties of copper phtalocyanine thin films UHV annealed and exposed to oxygen, Physica Status Solidi B 183 (1994) K9-K13.
  37. S. Kochowski: Simulation of hysteresis effects in C-V characteristics of MIS structures based on the model of interface states distributed in energy and in space, Electron Technology 27 (1994) 69-79.
  38. M. Urbańczyk, W. Jakubik, S. Kochowski: Investigation of sensor properties of copper phthalocyanine with use of acoustic waves, Sensors and Actuators B 22 (1994) 133-137.
  39. J. Szuber, B. Szczepaniak, S. Kochowski, A. Opilski: Electronic properties of the iron phthalocyanine thin films UHV annealed and exposed to oxygen, Vacuum 46 (1995) 547-549.
  40. S. Kochowski: Description of frequency dispersion of MIS capacitance based on the model of interface states distributed in energy and in space, Electron Technology 29 (1996) 122-125.
  41. S. Kochowski: Fenomenologiczna analiza stanów powierzchniowych w układzie półprzewodnik-dielektryk, Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, seria Matematyka-Fizyka 73 (1996) 149-162.
  42. S. Kochowski, M. Nowak: Analysis of MIS capacitance versus frequency data using least-squares method, Electron Technology 30 (1997) 109-112.
  43. S. Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, A. Górecka-Drzazga: Analiza częstotliwościowych charakterystyk pojemności i konduktancji struktur metal-SiO2-GaAs, VI Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE 1997, Krynica 6.05-9.05.1997, AGH, Kraków, 1997, ss. 556-560.
  44. S. Kochowski: Measurements of electrical characteristics as a tool for investigation of surface states in field effect gas sensors, Proceedings of Summer School "Education in Technology and Applications of Advanced Sensors", Paryż 1997, ss. 375-385.
  45. S. Kochowski: Influence of insulator-semiconductor interface parameters and bulk parameters on frequency dependence of GaAs MIS conductance, Electron Technology, 31 (1998) 346-350.
  46. S. Kochowski, M. Nowak: An analysis of small-signal response of SiO2-(n)GaAs interface based on a surface disorder model, Vacuum 54 (1999) 183-188.
  47. S. Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz: Electrical properties of SiO2-(n)GaAs interface on the basis of measurements of MIS structure capacitance and conductance, Thin Solid Films 348 (1999) 180-187.
  48. S. Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz: Some effects of (NH4)2Sx treatment of n-GaAs surface on electrical characteristics of metal-SiO2-GaAs structures, Vacuum 57 (2000) 157-162.
  49. S. Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz: Badanie własności elektrycznych struktur metal-SiO2-GaAs, VII Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa" ELTE 2000, Polanica Zdrój 18-22.09.2000, ss. 394-397.
  50. S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz: Elektryczny model zastępczy struktury metal-SiO2-GaAs, VII Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa" ELTE 2000, Polanica Zdrój 18-22.09.2000, ss. 426-429.
  51. J. Bodzenta, B. Burak, W. Jakubik, S. Kochowski, M. Urbańczyk: Optical and resistance hydrogen sensors - prerliminary results, Proceedings of 30th Winter School on Molecular and Quantum Acoustics, Ustroń 2001, ss. 53-57.
  52. W. Jakubik, M. Urbańczyk, J. Bodzenta, S. Kochowski, M. Nadolski: Hydrogen detection with two-layered surface acoustic wave sensor, Proceedings of 30th Winter School on Molecular and Quantum Acoustics, Ustroń 2001, ss. 58-61.
  53. J. Bodzenta, W. Jakubik, S. Kochowski, M. Urbańczyk: Opracowanie czujnika do rejestracji stężenia wodoru w oleju transformatorowym, Zeszyty Problemowe: Badania Nieniszczące 6 (2001) 247-250.
  54. J. Bodzenta, B. Burak, W. Jakubik, S. Kochowski, M. Urbańczyk: Optical and resistance sensor for hydrogen detection in gas mixture and transformer oil, Molecular and Quantum Acoustics 22 (2001) 29-36.
  55. S. Kochowski: Analiza powierzchniowych procesów elektronowych w strukturze metal-SiO2-GaAs, Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, seria Matematyka-Fizyka 88 (2001) 1-125.
  56. W. P. Jakubik, M. W. Urbańczyk, S. Kochowski, J. Bodzenta: Bilayer structure for hydrogen detection in a surface acoustic wave sensor system, Sensors and Actuators B 82 (2002) 265-271.
  57. S. Kochowski, K. Nitsch: Description of the frequency behaviour of metal-SiO2-GaAs structure characteristics by electrical equivalent circuit with constant phase element, Thin Solid Films 415 (2002) 133-137.
  58. J. Bodzenta, B. Burak, Z. Gacek, W. P. Jakubik, S. Kochowski, M. Urbańczyk: A sensor for registration of hydrogen gas dissolved in transformer oil, Proceedings of INSUCON 2002, Berlin 2002, ss. 33-36.
  59. J. Bodzenta, B. Burak, Z. Gacek, W. P. Jakubik, S. Kochowski, M. W. Urbańczyk: Thin palladium film as a sensor for hydrogen gas dissolved in transformer oil, Sensors and Actuators B 87 (2002) 82-87.
  60. W. Jakubik, M. Urbańczyk, T. Pustelny, S. Kochowski, J. Bodzenta: Nowa metoda detekcji w czujniku wodoru z Akustyczną Fala Powierzchniową, Materiały 50. Otwartego Seminarium z Akustyki, Gliwice 2003, ss. 238-241.
  61. J. Bodzenta, Z. Gacek, W. Jakubik, S. Kochowski, M. W. Urbańczyk: Development of a sensor for registration of hydrogen dissolved in transformer oil, Proceedings of XIII International Symposium on High Voltage Engineering, Delft, Holandia, 2003, pod redakcją Smit, ss. 1-4.
  62. W. P. Jakubik, M. W. Urbańczyk, S. Kochowski, J. Bodzenta: Palladium and phthalocyanine bilayer films for hydrogen detection in a surface acoustic wave sensor system, Sensors and Actuators B 96 (2003) 321-328.
  63. S. Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz: Contribution of interface states and bulk traps to GaAs MIS admittance, w: Illegems pod redakcją G. Weimann, J. Wagner, 29th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS) 2002, Lausanne, Switzerland, 7-10.10.2002 , Institute of Physics Conference Series 174 (2003) 37-40.
  64. S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz: Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps, Thin Solid Films 444 (2003) 208-214.
  65. S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz: Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures, Thin Solid Films 467 (2004) 190-196.
  66. S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydłowski: Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor structures by the admittance spectroscopy method, Applied Surface Science 235 (2004) 389-394.
  67. S. Kochowski, M. Szydłowski: Analiza elektrycznych własności struktur MIS na bazie GaAs oraz Si w oparciu o metodę spektroskopii impedancyjnej, Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, seria Matematyka-Fizyka 91 (2004) 199-212.
  68. D. Kobylińska, R. J. Bukowski, B. Burak, S. Kochowski: Gaussian optical beam propagation in thermal wave field - the ray theory, the complex ray theory and experimental results, Journal de Physique IV 129 (2005) 231-236.
  69. S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydłowski: An analysis of GaAs MIS structure properties by use of an equivalent circuit parameters, VIII Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa" ELTE 2004, Stare Jabłonki k. Ostródy, 19-22.04.2004, pod redakcją A. Mossakowskiej-Wyszyńskiej, CMYK Studio Poligrafii i Reklamy, 2005, ss. 357-360.
  70. D. Korte Kobylińska, R. J. Bukowski, B. Burak, J. Bodzenta, S. Kochowski: The complex ray theory of photodeflection signal formation: Comparison with the ray theory and the experimental results, Journal of Applied Physics 100 (2006) 063501.
  71. D. Kobylińska, R. J. Bukowski, B. Burak, J. Bodzenta, S. Kochowski: Experimental verification of theory of photodeflection detection based on complex geometrical optics, Journal de Physique IV 137 (2006) 305-308.
  72. S. Kochowski, M. Szydłowski, I. Thurzo, D. R. T. Zahn: Charge transient spectroscopy measurements of GaAs metal-insulator-semiconductor structures, Applied Surface Science 252 (2006) 7631-7635.
  73. D. Kobylińska, R. J. Bukowski, B. Burak, J. Bodzenta, S. Kochowski: Photodeflection signal formation in photothermal measurements: comparison of the complex ray theory, the ray theory, the wave theory, and experimental results, Applied Optics 46 (2007) 5216-5227.
  74. S. Kochowski, M. Szydłowski, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz: Analysis of electrical equivalent circuit of metal-insulator-semiconductor structure based on admittance measurements, Materials Science - Poland 26 (2008) 63-69.
  75. D. Korte Kobylińska, R. J. Bukowski, J. Bodzenia, S. Kochowski, A. Kaźmierczak-Bałata: Detector effects in photothermal deflection experiments, Applied Optics 47 (2008) 1559-1566.
  76. D. Korte-Kobylińska, R. J. Bukowski, J. Bodzenta, S. Kochowski: Thermal parameters of solids determination by the photodeflection method – theories and experiment comparison, Optica Applicata 38 (2008) 445-458.
  77. D. Korte Kobylińska, R. J. Bukowski, J. Bodzenta, S. Kochowski: The complex geometrical optics application to thermal parameters of solids determination by the photodeflection method, Optica Applicata 38 (2008).
  78. S. Kochowski, Ł. Drewniak, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures, Materials Science-Poland 08/2013, 31(3):446-453. DOI: 10.2478/s13536-013-0124-6.
  79. Ł. Drewniak, S. Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, The analysis of filling pulse parameters influence on ICTS data of GaAs MIS structures, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 07/2013, DOI: 10.1117/12.2030108.
© 2008-2016 ZFS, projekt i kodowanie: AKB (na podstawie poprzedniego projektu B. Buraka i M. Szydłowskiego)
zdjęcia: M. Szydłowski, A. Domanowska, M. Szum, M. Andrzejczuk